1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7126GXTMA1 von Infineon und 1EDN7550BXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7126GXTMA1 1EDN7550BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,29 $0,59
Funktion Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Non-inverting, truly differential
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS-Status Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Single-channel, high-side / low-side
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 °C to +150 °C

Datenblätter & Ressourcen

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