1EDN7126GXTMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7126GXTMA1 от Infineon и 1EDN7550BXTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7126GXTMA1 1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 - 1.5A 200V TDI Gate Driver for GaN | Infineon

1EDN7126GXTMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7126GXTMA1 1EDN7550BXTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,29 $0,59
Функция Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET —
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A 4 A
Peak Sink Current 1.5 A 8 A
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) Non-inverting, truly differential
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
Диапазон рабочих температур -40C to +125C —
Корпус PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) —
Driver Configuration — Single-channel, high-side / low-side
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Рабочая температура перехода — -40 °C to +150 °C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену