1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7146GXTMA1 von Infineon und 1EDN7116GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7146GXTMA1 1EDN7116GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,05 $0,84
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 1
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Truly Differential Input (TDI)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V 4.5 V to 5.5 V
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-VSON-10-4 PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 MSL3
Funktion — Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
Miller Clamp — Integrated, active
UVLO — Yes (VCC and gate-rail monitored)
Betriebstemperaturbereich — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

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