1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок 1EDN7146GXTMA1 от Infineon и 1EDN7116GXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon
1EDN7116GXTMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | 1EDN7146GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,05 | $0,84 |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | 1 |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | Truly Differential Input (TDI) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 5.5 V |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Рабочая температура | -40 C to +125 C | — |
| Корпус | PG-VSON-10-4 | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 | MSL3 |
| Функция | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| UVLO | — | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Диапазон рабочих температур | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |