1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 1EDN7511BXUSA1 von Infineon und 2EDN7534RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7511BXUSA1 2EDN7534RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $0,40
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Anzahl der Ausgänge 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Anstiegszeit [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Abfallzeit 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Betriebsversorgungsspannung [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +150 C —
Gehäuse PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Funktion — Low-side gate driver
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Ausgangskonfiguration — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Betriebstemperatur — -40C to +125C
MSL-Level — 1 (unlimited)

Datenblätter & Ressourcen

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