1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7534RXTMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок 1EDN7511BXUSA1 от Infineon и 2EDN7534RXTMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon

1EDN7511BXUSA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon

1EDN7511BXUSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр 1EDN7511BXUSA1 2EDN7534RXTMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,95 $0,40
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
Количество выходов 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Время нарастания [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Время спада 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
Рабочее напряжение питания [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
Диапазон рабочих температур -40 C to +150 C —
Корпус PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8
Тип монтажа Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Функция — Low-side gate driver
Number of Channels — 2
Peak Output Current (source/sink) — 5 A / 5 A
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ) — 19 ns
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V (absolute max)
Выходная конфигурация — Non-inverting
Output Resistance (Ron) — <1 ohm (typ)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
Рабочая температура — -40C to +125C
Уровень MSL — 1 (unlimited)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену