1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Vergleich

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Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 1EDN7550BXTSA1 1EDN7146GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,59 $1,05
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Number of Drivers — 1
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperatur — -40 C to +125 C

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