1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7550BXTSA1 par Infineon et 1EDN7146GXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7550BXTSA1 1EDN7146GXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,59 $1,05
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de jonction en fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Boîtier PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Number of Drivers — 1
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C

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