2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2106S06FXUMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED21064S06JXUMA1 von Infineon und 2ED2106S06FXUMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED21064S06JXUMA1 2ED2106S06FXUMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,85 $0,78
Funktion High-Side and Low-Side Gate Driver —
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Topologie High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS CMOS, TTL
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status ROHS3 Compliant —
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
Anzahl der Ausgänge — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Number of Drivers — 2
Anzahl der Pins — 8
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Ausgangstyp — Half-Bridge, Non-Inverting

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern