2ED2108S06FXUMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2ED2108S06FXUMA1 von Infineon und 1EDN7146GXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter 2ED2108S06FXUMA1 1EDN7146GXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,30 $1,05
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
Anzahl der Ausgänge 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Gehäuse PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-VSON-10-4
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated

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