2EDL5013U2DXTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL5013U2DXTMA1 von Infineon und 2EDL8034G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL5013U2DXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,85 $1,55
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A 3 A
Peak Sink Current 3 A 4 A
Ausgangskonfiguration Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated —
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Configuration — Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
Anzahl der Ausgänge — 2
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
VCC Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern