2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL5023U2DXTMA1 von Infineon und 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,40 $2,84
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 2 (HS + LS)
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) —
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Gehäuse PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +125C (typical industrial range) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

Datenblätter & Ressourcen

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