2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL5023U2DXTMA1 por Infineon y 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,40 $2,84
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
Número de salidas 2 2 (HS + LS)
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) —
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
Encapsulado PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C (typical industrial range) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

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