2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8033G4BXTMA1 von Infineon und 2EDL5023U2DXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,49 $1,40
Topologie Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 1 (Half-Bridge)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) —
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Gehäuse PG-VDSON-8-5 PG-TSNP-12-5
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Anzahl der Ausgänge — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
Betriebstemperatur — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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