2EDL8033G4BXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4BXTMA1 par Infineon et 2EDL5023U2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4BXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $1,40
Topologie Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Bootstrap Voltage (VBS) 120 V —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Number of Channels 2 (HS + LS) 1 (Half-Bridge)
Isolation Type Junction-isolated (non-galvanic) —
Input Logic Compatibility TTL —
Input Common-Mode Range -10 V to 20 V —
Input Type Independent HS and LS —
Integrated Dead-Time Control Yes (programmable) —
Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) Yes —
Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) Yes —
Shoot-Through Protection Yes —
Boîtier PG-VDSON-8-5 PG-TSNP-12-5
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Marking Code 2ED8033G4B —
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Nombre de sorties — 2
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
Température de fonctionnement — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Fiches techniques et ressources

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