2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon und 2EDL5023U2DXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,84 $1,40
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Anzahl der Ausgänge 2 (HS + LS) 2
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSNP-12-5
Montageart Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Number of Channels — 1 (Half-Bridge)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
Betriebstemperatur — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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