2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL5023U2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon et 2EDL5023U2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL5023U2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,84 $1,40
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 (HS + LS) 2
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSNP-12-5
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Driver Type — Non-Inverting
Bootstrap Voltage Rating — 120 V
Peak Gate Drive Current — 3 A (typical sink/source)
Number of Channels — 1 (Half-Bridge)
Input Logic — TTL-compatible
Input Voltage (VDD) — 5 V (gate drive supply)
Enable Pin (EN) — Active-High (logic high or left open enables)
PWM Inputs — HI (high-side), LI (low-side)
Ground Return — VSS
Température de fonctionnement — -40C to +125C (typical industrial range)
Tape and Reel Packaging — Yes

Fiches techniques et ressources

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