2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon und 2EDL8034G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,84 $1,55
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting Non-Inverting
Anzahl der Ausgänge 2 (HS + LS) 2
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 120 V
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range V]
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
RoHS-Status Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

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