2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL8034G4CXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon y 2EDL8034G4CXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8034G4CXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,84 $1,55
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting Non-Inverting
Número de salidas 2 (HS + LS) 2
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 120 V
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range V]
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Estado RoHS Compliant —
Driver Type — Half-Bridge (High-Side / Low-Side)
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 4 A
Rise Time (Typical) — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Fall Time (Typical) — [DATA_NEEDED: fall time ns]
Propagation Delay (Typical) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V
UVLO Protection — Yes (VCC and VBS)
Isolation Type — Junction-isolated (level-shifted)
ESD Rating (HBM) — [DATA_NEEDED: ESD HBM kV]
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Hojas de datos y recursos

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