2EDL8034G4CXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDL8034G4CXTMA1 von Infineon und 2EDL8033G4CXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDL8034G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,55 $2,84
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) —
Configuration Non-Inverting High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Bootstrap Voltage (Max) 120 V 120 V
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
Anzahl der Ausgänge 2 2 (HS + LS)
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] 10 V to 20 V
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) —
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern