2EDN7533BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7533BXTSA1 von Infineon und 2EDN7533RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7533BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $0,55
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 2
Logic Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Current ±5 A —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 19 ns
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: skew value] —
Input Compatibility LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant —
UVLO Integrated under-voltage lockout —
Output Clamping Active gate voltage clamping —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
Gehäuse PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant Compliant
Funktion — Dual-channel low-side gate driver
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -40 C to +150 C

Datenblätter & Ressourcen

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