2EDN7533BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDN7533BXTSA1 por Infineon e 2EDN7533RXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDN7533BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,51 $0,55
Product Type Dual-channel low-side gate driver IC —
Number of Channels 2 2
Logic Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Current ±5 A —
Supply Voltage (VDD) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 19 ns
Channel-to-Channel Skew [DATA_NEEDED: skew value] —
Input Compatibility LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant —
UVLO Integrated under-voltage lockout —
Output Clamping Active gate voltage clamping —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Status RoHS Compliant Compliant
Função — Dual-channel low-side gate driver
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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