2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7533BXTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7533RXTMA1 von Infineon und 2EDN7533BXTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7533RXTMA1 2EDN7533BXTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,51
Funktion Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Logic Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Current — ±5 A
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: skew value]
Input Compatibility — LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant
UVLO — Integrated under-voltage lockout
Output Clamping — Active gate voltage clamping
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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