2EDN7533RXTMA1 vs 2EDN7533BXTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDN7533RXTMA1 por Infineon e 2EDN7533BXTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDN7533RXTMA1 2EDN7533BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,55 $0,51
Função Dual-channel low-side gate driver —
Number of Channels 2 2
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
Temperatura de junção de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Logic Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Current — ±5 A
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: skew value]
Input Compatibility — LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant
UVLO — Integrated under-voltage lockout
Output Clamping — Active gate voltage clamping
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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