2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EDN7534RXTMA1 von Infineon und 1EDN7511BXUSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EDN7534RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,40 $0,95
Funktion Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Ausgangskonfiguration Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
MSL-Level 1 (unlimited) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Anzahl der Ausgänge — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Anstiegszeit — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Abfallzeit — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Betriebsversorgungsspannung — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Datenblätter & Ressourcen

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