2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7534RXTMA1 par Infineon et 1EDN7511BXUSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7534RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,40 $0,95
Fonction Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuration de sortie Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Niveau MSL 1 (unlimited) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Nombre de sorties — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Temps de montée — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Temps de descente — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tension d'alimentation de fonctionnement — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis