2EP100RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EP100RXTMA1 von Infineon und 2EP101RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EP100RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,55 $0,88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Output Power (max) 5 W —
Supply Voltage (max) 20 V —
Supply Voltage (min, typical) [DATA_NEEDED: min supply voltage] —
Schaltfrequenz Programmable via external resistor —
Dead Time Configurable —
Ausgangskonfiguration Drives external center-tapped transformer —
Sanftanlauf Built-in —
Enable / Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Built-in —
Thermisches Abschalten Built-in —
Short-Circuit Protection Built-in (primary-side current limit) —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +125 °C
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS-Status Compliant —
Target Applications Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Anzahl der Ausgänge — 1 (full-bridge differential primary)
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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