2EP100RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EP100RXTMA1 por Infineon y 2EP101RXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EP100RXTMA1 2EP101RXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,55 $0,88
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topología Full-bridge (H-bridge) with external transformer Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Output Power (max) 5 W —
Supply Voltage (max) 20 V —
Supply Voltage (min, typical) [DATA_NEEDED: min supply voltage] —
Frecuencia de conmutación Programmable via external resistor —
Dead Time Configurable —
Configuración de salida Drives external center-tapped transformer —
Arranque suave Built-in —
Enable / Shutdown Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Built-in —
Apagado térmico Built-in —
Short-Circuit Protection Built-in (primary-side current limit) —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +125 °C
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant —
Target Applications Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
Número de salidas — 1 (full-bridge differential primary)
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

Hojas de datos y recursos

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