2EP110RXTMA1 vs 2EP100RXTMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 2EP110RXTMA1 von Infineon und 2EP100RXTMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 2EP110RXTMA1 2EP100RXTMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,92 $0,55
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Schaltfrequenz 50 kHz / 65 kHz (selectable) Programmable via external resistor
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Gehäuse PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Ausgangskonfiguration Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) Drives external center-tapped transformer
MSL-Level MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Output Power (max) — 5 W
Supply Voltage (max) — 20 V
Supply Voltage (min, typical) — [DATA_NEEDED: min supply voltage]
Dead Time — Configurable
Sanftanlauf — Built-in
Enable / Shutdown — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Built-in
Thermisches Abschalten — Built-in
Short-Circuit Protection — Built-in (primary-side current limit)
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Target Applications — Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern