2EP110RXTMA1 vs 2EP100RXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EP110RXTMA1 par Infineon et 2EP100RXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EP110RXTMA1 2EP100RXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,92 $0,55
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
Topologie Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
Fréquence de commutation 50 kHz / 65 kHz (selectable) Programmable via external resistor
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
Configuration de sortie Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) Drives external center-tapped transformer
Niveau MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Output Power (max) — 5 W
Supply Voltage (max) — 20 V
Supply Voltage (min, typical) — [DATA_NEEDED: min supply voltage]
Dead Time — Configurable
Démarrage progressif — Built-in
Enable / Shutdown — Yes
Undervoltage Lockout (UVLO) — Built-in
Arrêt thermique — Built-in
Short-Circuit Protection — Built-in (primary-side current limit)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Target Applications — Isolated gate driver supplies, isolated DC-DC converters

Fiches techniques et ressources

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