AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4A-62BCN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4-75BCNTR von Alliance Memory und AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

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AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4A-62BCN
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,90 $7,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.333 GHz —
Datenrate 2666 Mbps per pin 1600 MHz (3200 Mbps)
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
Schnittstelle Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
Gehäuse 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Betriebstemperaturbereich 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Speichergröße — 8 Gbit
Versorgungsspannung — 1.2 V
CAS-Latenz — 18 ns
Betriebstemperatur — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Packaging — Tray

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