AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4A-62BCN 비교

다음의 상세 나란히 비교: AS4C512M16D4-75BCNTR 제조: Alliance Memory 및 AS4C512M16D4A-62BCN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 활성
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AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 활성

사양 비교

파라미터 AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4A-62BCN
브랜드 Alliance Memory Alliance Memory
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.90 $7.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.333 GHz —
데이터 속도 2666 Mbps per pin 1600 MHz (3200 Mbps)
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
인터페이스 Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
패키지 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
동작 온도 범위 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
메모리 크기 — 8 Gbit
공급 전압 — 1.2 V
CAS 레이턴시 — 18 ns
동작 온도 — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Packaging — Tray

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