AS4C512M16D4A-62BCN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory und MT40A512M16JY-07EAIT:B von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4A-62BCN MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marke Alliance Memory Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,20 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Datenrate 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 MT/s
CAS-Latenz 18 ns —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14)
Betriebstemperatur 0°C to 95°C —
Montageart Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Schnittstelle POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
RoHS-Status Compliant —
Packaging Tray —
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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