AS4C512M16D4A-62BCN vs MT40A512M16JY-07EAIT:B Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de AS4C512M16D4A-62BCN par Alliance Memory et MT40A512M16JY-07EAIT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre AS4C512M16D4A-62BCN MT40A512M16JY-07EAIT:B
Marque Alliance Memory Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,20 $8,10
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Tension d'alimentation 1.2 V —
Débit de données 1600 MHz (3200 Mbps) 2666 MT/s
Latence CAS 18 ns —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-FBGA (8x14)
Température de fonctionnement 0°C to 95°C —
Type de montage Surface Mount —
JEDEC Standard Compliant —
Interface POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes —
Statut RoHS Compliant —
Packaging Tray —
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Plage de température de fonctionnement — -40°C to +105°C (AIT grade)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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