BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC010NE2LSIATMA1 von Infineon und BSC014NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC010NE2LSIATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) —
Pin-Anzahl 8 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern