BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC010NE2LSIATMA1 von Infineon und BSC0906NSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC010NE2LSIATMA1 BSC0906NSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,92 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction, typical)
Pin-Anzahl 8 8
RoHS-Status Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Datenblätter & Ressourcen

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