BSC010NE2LSIATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon e BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC010NE2LSIATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Series / Family OptiMOS 25V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 38 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 100 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 96 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-Channel —
Technology OptiMOS (Trench) OptiMOS
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (junction, typical)
Contagem de pinos 8 8
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Drive Logic-level compatible —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Rds(on) at 10V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] —
Rds(on) at 4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

Fichas técnicas e recursos

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