BSC014N04LSIATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC014N04LSIATMA1 von Infineon und BSC026N04LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC014N04LSIATMA1 BSC026N04LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) Trench-gate OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 31 A 23 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
RDS(on) max at VGS=10 V 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc) 96 W —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.5 W —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +150 C -55°C to +150°C
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Tradename OptiMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: max RDS(on)]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Channel Type — N-Channel

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