BSC014N04LSIATMA1 vs BSC026N04LSATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC014N04LSIATMA1 от Infineon и BSC026N04LSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC014N04LSIATMA1 | BSC026N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,39 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) | Trench-gate OptiMOS™ 5 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 31 A | 23 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 1.4 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 96 W | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 2.5 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C | -55°C to +150°C |
| Корпус | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) | PG-TDSON-8-6 (TDSON 5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Tradename | OptiMOS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS™ 5 N-Channel Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc=25°C) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | — | 2.6 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: max RDS(on)] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 63 W |
| Channel Type | — | N-Channel |