BSC014N04LSTATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC014N04LSTATMA1 von Infineon und ISZ019N03L5SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC014N04LSTATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,41 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +175C (TJ max)
Gehäuse PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 8 —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level MSL1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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