BSC014N04LSTATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSTATMA1 por Infineon e ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC014N04LSTATMA1 | ISZ019N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,41 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC014N04LSTATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-Channel Trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V | 1.45 mΩ | — |
| R DS(on) typical @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 115 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +150°C | -55C to +175C (TJ max) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Nível MSL | MSL1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (<= 40V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 40 A |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typical) |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44 nC at VGS=10V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2800 pF at VDS=15V |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RG-tested | — | 100% |