BSC014N06NSATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC014N06NSATMA1 von Infineon und BSC072N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC014N06NSATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,89 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 74 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 156 W 69 W
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Gehäuse PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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