BSC014N06NSATMA1 vs BSC072N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC014N06NSATMA1 por Infineon y BSC072N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC014N06NSATMA1 BSC072N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,46
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 74 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.4 mOhm —
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.45 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 156 W 69 W
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C [DATA_NEEDED: full min/max operating Tj]
Encapsulado PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 (shielded-gate trench) OptiMOS 5
Part Family — BSC072N08NS5 (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max — 7.2 mOhm at VGS=10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Shipping Pack — Tape & Reel (ATMA1)
Standard Pack Quantity — 5000

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