BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC014NE2LSIATMA1 von Infineon und BSC009NE2LSATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC014NE2LSIATMA1 BSC009NE2LSATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,38
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_a — 41 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_c — 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey)
Pulsed Drain Current (I_DM) — 255 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (T_a) — 2.5 W
Power Dissipation (T_c) — 96 W
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (TJ)
Gehäuse / Bauform — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL)
Pin-Anzahl — 8

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