BSC014NE2LSIATMA1 vs BSC009NE2LSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon e BSC009NE2LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014NE2LSIATMA1 BSC009NE2LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $1,38
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 33 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) [DATA_NEEDED: Tc condition rating] —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 74 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 25V
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 25 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_a — 41 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_c — 100 A (Mouser listing), 255 A pulsed (DigiKey)
Pulsed Drain Current (I_DM) — 255 A
R_DS(on) Max @ V_GS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation (T_a) — 2.5 W
Power Dissipation (T_c) — 96 W
Gate Threshold Voltage V_GS(th) Typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (TJ)
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 FL)
Contagem de pinos — 8

Fichas técnicas e recursos

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