BSC027N04LSGATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N04LSGATMA1 von Infineon und BSC030N08NS5ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N04LSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Verlustleistung (TC=25°C) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes Yes
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

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