BSC027N04LSGATMA1 vs BSC030N08NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC027N04LSGATMA1 por Infineon y BSC030N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC027N04LSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,55
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Disipación de potencia (TC=25°C) 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes Yes
Product Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 161 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 3.0 mOhm
RDS(on) max at VGS=7 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=7V]
Power Dissipation (Ta=25C, 1.5mm FR4) — 2.5 W
Power Dissipation (TC=25C) — 139 W
Operating Temperature Range (TJ) — -55C to +150C
Lead-Free — Yes
Gate Drive Logic — Standard 10V, compatible with 12V drive
Optimized Application — Synchronous Rectification

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