BSC027N04LSGATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC027N04LSGATMA1 von Infineon und IAUCN04S7L019ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC027N04LSGATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,54 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Verlustleistung (TC=25°C) 83 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-33
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSL-Level 1 1
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
Betriebstemperatur — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

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