BSC027N04LSGATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC027N04LSGATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN04S7L019ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSC027N04LSGATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.54 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
전력 손실 (TC=25°C) 83 W —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C —
패키지 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-33
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) —
MSL 레벨 1 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
동작 온도 — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
열 저항, 접합-주변 — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

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