BSC028N06NSTATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC028N06NSTATMA1 von Infineon und BSC016N06NSTATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC028N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,40 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS
Part Number Base BSC028N06NS —
Technology MOSFET N-Channel (OptiMOS 5) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V to 3.5 V —
Total Gate Charge Qg 37 nC @ VGS=10V —
Input Capacitance Ciss 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet] —
Output Capacitance Coss 825 pF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 56 pF —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 100 W —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C —
Gehäuse PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes —
MSL-Level 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
AEC-Q101 Automotive Qualified [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ] —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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